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ONCHIP(芯片上) ESD防護(hù)設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班 |
培養(yǎng)對(duì)象 |
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本科及本科以上電子類相關(guān)專業(yè)或在業(yè)內(nèi)具備相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)者，具備電子電路基礎(chǔ)，有志于學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)課程者 |
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入學(xué)要求 |
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學(xué)員學(xué)習(xí)本課程應(yīng)具備下列基礎(chǔ)知識(shí)：
◆電路系統(tǒng)的基本概念。 |
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班級(jí)規(guī)模及環(huán)境--熱線:4008699035 手機(jī):15921673576( 微信同號(hào)) |
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每期人數(shù)限3到5人。 |
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上課時(shí)間和地點(diǎn) |
上課地點(diǎn)：【上�！浚和瑵�(jì)大學(xué)(滬西)/新城金郡商務(wù)樓(11號(hào)線白銀路站) 【深圳分部】：電影大廈(地鐵一號(hào)線大劇院站)/深圳大學(xué)成教院 【北京分部】：北京中山學(xué)院/福鑫大樓 【南京分部】：金港大廈(和燕路) 【武漢分部】：佳源大廈（高新二路） 【成都分部】：領(lǐng)館區(qū)1號(hào)（中和大道） 【沈陽分部】：沈陽理工大學(xué)/六宅臻品 【鄭州分部】：鄭州大學(xué)/錦華大廈 【石家莊分部】：河北科技大學(xué)/瑞景大廈 【廣州分部】：廣糧大廈 【西安分部】：協(xié)同大廈
最近開課時(shí)間(周末班/連續(xù)班/晚班）： ESD開課時(shí)間：2020年3月16日 |
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實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
☆資深工程師授課
☆注重質(zhì)量
☆邊講邊練
☆合格學(xué)員免費(fèi)推薦工作
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最新優(yōu)惠 |
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質(zhì)量保障 |
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1、培訓(xùn)過程中，如有部分內(nèi)容理解不透或消化不好，可免費(fèi)在以后培訓(xùn)班中重聽；
2、培訓(xùn)結(jié)束后,授課老師留給學(xué)員聯(lián)系方式,保障培訓(xùn)效果,免費(fèi)提供課后技術(shù)支持。
3、培訓(xùn)合格學(xué)員可享受免費(fèi)推薦就業(yè)機(jī)會(huì)。 |
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ONCHIP(芯片上)
ESD防護(hù)設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班 |
培訓(xùn)對(duì)象：
從事模擬/數(shù)字/混合/RF IC，MEMS，存儲(chǔ)器和平板顯示相關(guān)的設(shè)計(jì)、制造和表征的工程師及管理者。半導(dǎo)體器件，集成電路設(shè)計(jì)和一般電子系統(tǒng)領(lǐng)域的教師和學(xué)生。
課程背景:
靜電放電（ESD）現(xiàn)象在半導(dǎo)體行業(yè)中是普遍存在的。它隨時(shí)可能發(fā)生在半導(dǎo)體器件和集成電路的制作、測(cè)試、封裝直到用戶使用的任何過程中。近期美國(guó)公布了涉及10多個(gè)行業(yè)因靜電放電造成的損失調(diào)查結(jié)果，平均每年的直接經(jīng)濟(jì)損失高達(dá)200多億美元，僅電子工業(yè)部門每年因靜電危害損壞電子元器件的損失就高達(dá)100多億美元。每年因靜電擊穿而造成失效的芯片占總失效芯片的35%。ESD的保護(hù)變得越來越重要。
隨著深亞微米及納米級(jí)IC工藝的發(fā)展和射頻、高速集成電路產(chǎn)品的開發(fā)，靜電放電現(xiàn)象的破壞力日益增強(qiáng)。傳統(tǒng)的二極管靜電保護(hù)方法，已經(jīng)不能滿足業(yè)界對(duì)靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的要求。如何保護(hù)集成電路不被靜電擊穿，已成為各半導(dǎo)體代工企業(yè)越來越重視的問題。靜電放電防護(hù)設(shè)計(jì)也成為集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)要重點(diǎn)解決的一個(gè)關(guān)鍵問題，
課 程 大 綱
第 一 階 段
芯片上ESD防護(hù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
一．ESD防護(hù)的基本模型
1. HBM模型
2. MM模型
3. CDM模型
4.IEC簡(jiǎn)化模型5.其他模型
二．ESD測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)
1. ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介和分類
2. HBM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
3. MM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
4. CDM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
5.TLP的測(cè)試方法與測(cè)試儀器
6.電子槍放電的測(cè)試方法與測(cè)試儀器
三．常用的ESD防護(hù)的器件
1.二極管及二極管串設(shè)計(jì)及建模
2.三極管及場(chǎng)氧器件設(shè)計(jì)及建模
3.MOS管及其相關(guān)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)及建模
4.晶閘管及其相關(guān)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)及建模
四、系統(tǒng)級(jí)和電路板級(jí)ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)
1.ESD需求指標(biāo)的設(shè)定
2.IC輸入/輸出端的ESD防護(hù)電路
3.混合信號(hào)IC的ESD防護(hù)電路。
4.全芯片級(jí)ESD防護(hù)的設(shè)計(jì)
5.IC電路布線布局優(yōu)化6.電路板級(jí)ESD防護(hù)的設(shè)計(jì)。
第 二 階 段
納米集成電路上ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
一、晶閘管類ESD防護(hù)器件設(shè)計(jì)
1. 晶閘管ESD防護(hù)器件工作機(jī)理以及晶閘管類器件設(shè)計(jì)可能出現(xiàn)的問題。
2. 對(duì)不同種類晶閘管器件結(jié)構(gòu)的回顧。
3. 晶閘管的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)方法論。
4. 晶閘管器件直流和混合模式的TCAD仿真
二、鉗位單元設(shè)計(jì)
1. CMOS工藝中關(guān)鍵ESD元件設(shè)計(jì)。
2. 以可控方式泄放ESD電荷的鉗位單元設(shè)計(jì)。
3. 影響ESD防護(hù)性能的設(shè)計(jì)因素考慮。
三、 CDM模式ESD的設(shè)計(jì)及測(cè)試研究
1.VF-TLP與TLP測(cè)試原理
2.常用開啟速度測(cè)試方法
3.利用TLP測(cè)試器件的開始速度
4.不同器件的開啟速度的評(píng)估
四 CAD仿真工具在ESD防護(hù)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
1. SPICE電路級(jí)仿真與器件建模的研究進(jìn)展
2. 工藝器件級(jí)TCAD仿真的應(yīng)用
五、射頻集成電路的ESD設(shè)計(jì)
1. 射頻ESD簡(jiǎn)介。
2. 射頻ESD測(cè)試專題。
3. 射頻ESD防護(hù)建模。
4. 射頻ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)。
5. 射頻功能完整性的ESD優(yōu)化。
6. 利用工藝仿真器和器件仿真器來進(jìn)行射頻ESD輔助設(shè)計(jì)。
六、實(shí)際案例分析
1、常用的基于晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路
2、柵輔助觸發(fā)的高性能晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路
3、空間對(duì)稱結(jié)構(gòu)的高性能晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路
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