(一) 電磁兼容基本概念及理論
電磁兼容概念
電磁兼容三要素
頻域和時(shí)域
周期/隨機(jī)信號(hào)的頻譜
共模電流和差模電流
共模輻射和差模輻射
近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)
PCB中信號(hào)回流方式
dB單位的換算
頻率及波長(zhǎng)
展頻（SSC- Spread Spectrum cocking ）
寬帶和窄帶
峰值、準(zhǔn)峰值和平均值
回路電感、部分電感及部分凈余電感
(二) 板級(jí)EMC元器件
EMI器件
電容；
差模電感；
共模電感；
鐵氧體器件；
吸波材料;
BD濾波器件；
展頻器件
防護(hù)類器件
氣體放電管；
壓敏電阻；
混合保護(hù)器件GMOV；
半導(dǎo)體管；
TVS管
熱敏電阻
保險(xiǎn)管、變壓器和光耦；
多級(jí)防護(hù)及協(xié)調(diào)驗(yàn)證
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(三) 板級(jí)EMC接地及仿真分析
PCB中地的概念
安全地
機(jī)殼地
信號(hào)地：電路地，數(shù)字地，模擬地
直流電源回流地
功率地
數(shù)字邏輯電流的流動(dòng)
微帶線中信號(hào)電流及回流路徑
帶狀線中信號(hào)電流及回流的路徑
回流參考面電流分布
微帶線回流參考面電流分布
帶狀線回流參考面電流分布：對(duì)稱，非對(duì)稱
回流參考面阻抗
微帶線回流平面凈余部分電感
微帶線回流平面電阻
微帶線回流平面感抗余電阻的比較
回流參考面噪聲電壓
考慮走線過孔時(shí)微帶線回流參考平面電流分布
考慮走線過孔時(shí)微帶線回流參考平面凈電感的測(cè)試值
考慮走線過孔時(shí)微帶線回流參考平面噪聲電壓的測(cè)試值
回流參考平面噪聲電壓對(duì)EMI及SI的影響
PCB板中電路的地與機(jī)殼的連接
混合信號(hào)電路的接地
混合信號(hào)電路的EMC問題；
一般數(shù)字和模擬混合電路的接地
含大功率電機(jī)、繼電器等高噪聲驅(qū)動(dòng)器的數(shù)?；旌想娐返慕拥?/p>
散熱器接地仿真分析
散熱器天線等效模型
散熱器不同數(shù)量接地螺柱及不同布置對(duì)輻射影響的仿真分析
仿真分析總結(jié)
共模電感下鋪地對(duì)EMI影響仿真分析
產(chǎn)品系統(tǒng)接地設(shè)計(jì)
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(四) 電源/地平面去耦及仿真分析
電源/地平面去耦的目的
電源/地平面間EMI噪聲的來源
全局去耦電容EMI去耦效果仿真分析
不同數(shù)量均勻全局去耦電容EMI去耦效果的仿真分析
不同封裝均勻全局去耦電容EMI去耦效果的仿真分析
不同容值均勻全局去耦電容EMI去耦效果的仿真分析
不同容值全局去耦電容交錯(cuò)分布EMI去耦效果的仿真分析
局部去耦電容EMI/SI去耦效果仿真分析
不同容值局部去耦電容EMI去耦效果的仿真分析
局部去耦電容離干擾源不同距離時(shí)EMI去耦效果的仿真分析
局部去耦電容在不同電源/地平面距離時(shí)EMI去耦效果的仿真分析
電源/地平面及時(shí)鐘電路電源的去耦設(shè)計(jì)規(guī)則總結(jié)
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(五) PCB布局、層疊和布線EMC設(shè)計(jì)及仿真分析
PCB布局EMC設(shè)計(jì)
PCB總體布局分區(qū)；
接口電路布局；
關(guān)鍵器件布局
PCB層疊EMC設(shè)計(jì)
多層板選擇的原則及設(shè)計(jì)目標(biāo)；
基本的多層板構(gòu)建區(qū)塊及其組合方式
PCB布線EMC設(shè)計(jì)
1） 關(guān)鍵信號(hào)走線跨分割對(duì)輻射影響測(cè)試和仿真分析
a.測(cè)試分析
測(cè)試板差模噪聲和共模噪聲測(cè)試；
測(cè)試過程錄像演示
b.仿真分析
跨分割處增加不同數(shù)量、不同封裝、不同容值縫補(bǔ)電容對(duì)輻射抑制效果
離跨分割處不同距離處增加縫補(bǔ)電容對(duì)輻射抑制效果
關(guān)鍵信號(hào)跨分割EMI設(shè)計(jì)規(guī)則
2） 關(guān)鍵信號(hào)換參考對(duì)輻射影響仿真分析
a.在兩個(gè)相同性質(zhì)參考平面（同為GND或同為VCC）間換參考
更換參考平面處增加不同數(shù)量縫補(bǔ)過孔對(duì)輻射抑制效果
離更換參考平面處不同距離增加縫補(bǔ)過孔對(duì)輻射抑制效果
更換的參考平面不同層間距離時(shí)增加縫補(bǔ)過孔對(duì)輻射抑制效果
b.在不同性質(zhì)參考平面（一個(gè)為VCC、一個(gè)為GND）換參考
更換參考平面處增加不同數(shù)量、不同封裝、不同容值縫補(bǔ)電容對(duì)輻射影響
更換的參考平面不同層間距離時(shí)增加縫補(bǔ)電容對(duì)輻射抑制效果
c.關(guān)鍵信號(hào)在與同一參考平面相鄰的兩個(gè)信號(hào)層間換參考
d.關(guān)鍵信號(hào)換參考的EMI設(shè)計(jì)規(guī)則
3） 關(guān)鍵信號(hào)PCB表層邊緣走線對(duì)輻射影響仿真分析
關(guān)鍵信號(hào)表層走線輻射與板邊距離關(guān)系
關(guān)鍵信號(hào)表層走線EMI設(shè)計(jì)規(guī)則
4） 兩層板關(guān)鍵信號(hào)包地對(duì)EMI的影響仿真分析
包地和不包地條件下EMI輻射對(duì)比；
包地線離信號(hào)線不同距離對(duì)EMI輻射的影響
5） 20H原則仿真分析
20H的基本概念
分析VCC-GND兩平面結(jié)構(gòu)VCC內(nèi)縮20H對(duì)EMI輻射的影響；
GND-VCC-GND三平面結(jié)構(gòu)；
a. VCC內(nèi)縮20H對(duì)EMI輻射的影響；
b. VCC范圍內(nèi)增加不同密度的地過孔對(duì)EMI輻射的影響；
20H規(guī)則對(duì)EMI影響的仿真總結(jié)
6） 3W原則仿真分析
3W原則的概念及仿真模型；
平行微帶線的不同中心間距對(duì)串?dāng)_的影響；
平行微帶線不同線長(zhǎng)度、不同介質(zhì)厚度及不同介電常數(shù)時(shí)對(duì)串?dāng)_的影響 ；
3W原則對(duì)串?dāng)_影響的仿真總結(jié)
7） 差分信號(hào)的EMI輻射仿真分析
差號(hào)線直角拐彎45o斜角長(zhǎng)度對(duì)EMI的影響；
差號(hào)線以4個(gè)45o角繞過小障礙物對(duì)EMI影響；
一個(gè)相鄰差分對(duì)對(duì)輻射的影響；
兩個(gè)相鄰差分對(duì)對(duì)輻射的影響；
差分線參考平面上的反焊盤對(duì)EMI 的影響
差分線EMI輻射仿真分析總結(jié)
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(六) 濾波和防護(hù)電路設(shè)計(jì)及仿真分析
電源接口濾波及防護(hù)設(shè)計(jì)；
開關(guān)電源共模/差模噪聲等效電路；
直流端口濾波電路各參數(shù)影響仿真分析；
濾波板Demo電路仿真和實(shí)測(cè)比對(duì)；
-48V電源接口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)
AC交流端口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)
汽車電子設(shè)備12V/24V直流電源接口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)
信號(hào)接口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)；
濾波設(shè)計(jì)的概念；
單端信號(hào)濾波設(shè)計(jì)（非金屬外殼、金屬外殼）；
差分信號(hào)端口濾波設(shè)計(jì)
單端和差分混合信號(hào)電路濾波設(shè)計(jì)
時(shí)鐘電路濾波設(shè)計(jì)；
時(shí)鐘輸出RC濾波；
晶振及驅(qū)動(dòng)器電源去耦設(shè)計(jì)；
晶振電源去耦仿真分析；
時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器電源去耦仿真分析
其它端口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)
復(fù)位電路濾波防護(hù)設(shè)計(jì)；
面板指示燈電路濾波防護(hù)設(shè)計(jì)；
撥碼開關(guān)濾波設(shè)計(jì)
典型接口電路濾波防護(hù)設(shè)計(jì)
千兆網(wǎng)口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)；
USB接口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)
485接口濾波防護(hù)設(shè)計(jì)
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(七) 結(jié)構(gòu)、電纜和PCB屏蔽設(shè)計(jì)及仿真分析
結(jié)構(gòu)屏蔽效能評(píng)估；
解析公式評(píng)估；
仿真評(píng)估
a. 不同開孔數(shù)量對(duì)屏效的影響
b. 不同Q值對(duì)屏效的影響
c. 不同機(jī)箱大小對(duì)屏效的影響;
d. 機(jī)箱開槽屏效仿真
e. 不影響散熱條件下提高屏效的方法舉例
電纜的屏蔽
電纜屏蔽層的搭接要求；
電纜屏蔽層與機(jī)殼360o搭接的實(shí)現(xiàn)方式
PCB屏蔽
PCB邊緣屏蔽仿真分析；
a. 周邊不同間距地過孔時(shí)對(duì)屏蔽效能的影響;
b. 電源平面超出周邊地過孔時(shí)對(duì)屏蔽效能的影響
PCB局部屏蔽 |
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