課程大綱： .vasp培訓(xùn)
一、VASP基本原理及計算準(zhǔn)備（基礎(chǔ)篇）
1.1 VASP原理及Linux入門基本介紹
2.1.1密度泛函理論和VASP基本原理簡介
3.1.2 Xshell遠(yuǎn)程登陸服務(wù)器的操作技術(shù)
4.1.3 Linux下常用命令(包含bash編程基礎(chǔ))
5.1.4 Linux下常用編譯器安裝方法
6.2 Linux常用命令與VASP輸入出輸出文件介紹
7.2.1 Linux常用命令(文本查找，批量提交任務(wù)，grep/sed/awk等)
8.2.2 VASP輸入輸出文件介紹(INCAR，KP0INTS，P0SCAR，P0TCAR，0UTCAR等)
9.2.3與VASP相關(guān)搭配常用輔助軟件介紹
10.3 VASP編譯安裝及結(jié)構(gòu)建模介紹
11.3.1 VASP編譯安裝（vaspkit安裝，qvasp安裝及其它常用工具）
12.3.2利用Materials Studio軟件或者數(shù)據(jù)庫建立乙醇分子模型和Si模型
13.3.3界面模型搭建技巧：晶格匹配
14.3.4通用手繪計算模型技巧（專題）
二、VASP相關(guān)參數(shù)置技巧及參數(shù)收斂性測試（升階篇）
1.4 VASP輸入?yún)?shù)設(shè)置技巧
2.4.1 INCAR參數(shù)的設(shè)置 （ISPIN, ENCUT, ISIF, EDIFF, EDIFFG, HSE06, LDA+U等）
3.4.2 K點的設(shè)置方案(Mesh, Line-Mode以及Rec直接標(biāo)注權(quán)重)
4.4.3贗勢的選擇及生成方法
5.5 VASP結(jié)構(gòu)優(yōu)化
6.5.1晶體結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)置：實例解析VASP的參數(shù)設(shè)置
7.5.2設(shè)置參數(shù)的簡易方法，以及歸類、總結(jié)和技巧
8.5.3自洽、非自洽、電荷密度文件、波函數(shù)文件、總能的相關(guān)解釋及用途。
9.6 VASP收斂性測試
10.6.1測試腳本的編寫及介紹 （測試的目的，意義）
11.6.2截斷能收斂性測試
12.6.3 K點收斂性測試
13.6.4其他收斂性測試（表面層數(shù)，sigma等）
三、電子結(jié)構(gòu)、彈性模量、聲子譜、分子動力學(xué)
（實戰(zhàn)篇：材料計算專題）
VASP材料理化性質(zhì)計算及結(jié)果分析
1.7.1 VASP能帶結(jié)構(gòu)與態(tài)密度計算
2.7.1.1能帶基礎(chǔ)知識介紹
3.7.1.2 Si能帶計算(PBE和HSE)與分析
4.7.1.3 Si態(tài)密度計算與分析
5.7.1.4電子有效質(zhì)量計算
6.7.2 VASP彈性常數(shù)計算
7.7.2.1彈性常數(shù)基礎(chǔ)知識介紹
8.7.2.2 Si彈性常數(shù)計算與分析
9.7.3分子動力學(xué)（MD）模擬簡介
H20分子動力學(xué)模擬
10.7.4 VASP光學(xué)性質(zhì)計算
Si的光學(xué)性質(zhì)計算與分析(PBE與HSE)
11.7.5 VASP聲子譜計算
Si的光學(xué)性質(zhì)計算與分析(PBE與HSE)
12.7.6特殊體系體系的設(shè)置方案
13.7.6.1 HSE06雜化泛函的設(shè)置方法
14.7.6.2強關(guān)聯(lián)體系的設(shè)置方法（LDA+U）
15.7.6.3范德華力參數(shù)的設(shè)置
16.7.7 VASP對缺陷、摻雜體系的處理
17.7.7.1位錯形成能的計算
18.7.7.2雜質(zhì)能級的引入
實例解析：
四、吸附、過渡態(tài)以及電荷分析（實戰(zhàn)篇：催化反應(yīng)專題）
1.課程8 VASP表面催化反應(yīng)計算及結(jié)果分析
2.8.1固體表面具有催化活性的本質(zhì)原因解析
3.8.2基元反應(yīng)和復(fù)雜反應(yīng)在固體表面催化反應(yīng)研究中的關(guān)系
4.8.3 VASP表面吸附
C0吸附在Pt表面計算（吸附能模型和吸附能）
5.8.4 VASP電荷分析
6.8.4.1電荷拆分；
7.8.4.2Bader電荷計算與結(jié)果處理；
8.8.4.3ELF計算與結(jié)果處理
9.8.5 VASP過渡態(tài)搜索
8.5.1插點和過渡態(tài)搜索
8.5.2頻率分析及零點能矯正方案
8.5.3消虛頻的方法
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