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曙海教育集團(tuán)
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   65納米CMOS工藝&高壓器件設(shè)計(jì)與制程技術(shù)
  培養(yǎng)對象
        本科及本科以上電子類相關(guān)專業(yè)或在業(yè)內(nèi)具備相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)者,具備電子電路基礎(chǔ),有志于學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)課程者
   入學(xué)要求

        學(xué)員學(xué)習(xí)本課程應(yīng)具備下列基礎(chǔ)知識:
        ◆電路系統(tǒng)的基本概念。

   班級規(guī)模及環(huán)境--熱線:4008699035 手機(jī):15921673576( 微信同號)
       每期人數(shù)限3到5人。
   上課時間和地點(diǎn)
上課地點(diǎn):【上海】:同濟(jì)大學(xué)(滬西)/新城金郡商務(wù)樓(11號線白銀路站) 【深圳分部】:電影大廈(地鐵一號線大劇院站)/深圳大學(xué)成教院 【北京分部】:北京中山學(xué)院/福鑫大樓 【南京分部】:金港大廈(和燕路) 【武漢分部】:佳源大廈(高新二路) 【成都分部】:領(lǐng)館區(qū)1號(中和大道) 【沈陽分部】:沈陽理工大學(xué)/六宅臻品 【鄭州分部】:鄭州大學(xué)/錦華大廈 【石家莊分部】:河北科技大學(xué)/瑞景大廈 【廣州分部】:廣糧大廈 【西安分部】:協(xié)同大廈
最近開課時間(周末班/連續(xù)班/晚班)
高壓器件設(shè)計(jì)開課時間:2020年3月16日
   實(shí)驗(yàn)設(shè)備
     ☆資深工程師授課

        
        ☆注重質(zhì)量
        ☆邊講邊練

        ☆合格學(xué)員免費(fèi)推薦工作

        ☆合格學(xué)員免費(fèi)頒發(fā)相關(guān)工程師等資格證書,提升您的職業(yè)資質(zhì)

        專注高端培訓(xùn)15年,端海提供的證書得到本行業(yè)的廣泛認(rèn)可,學(xué)員的能力
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       ◆請咨詢客服。
   質(zhì)量保障

        1、培訓(xùn)過程中,如有部分內(nèi)容理解不透或消化不好,可免費(fèi)在以后培訓(xùn)班中重聽;
        2、培訓(xùn)結(jié)束后,授課老師留給學(xué)員聯(lián)系方式,保障培訓(xùn)效果,免費(fèi)提供課后技術(shù)支持。
        3、培訓(xùn)合格學(xué)員可享受免費(fèi)推薦就業(yè)機(jī)會。

        65納米CMOS工藝&高壓器件設(shè)計(jì)與制程技術(shù)


隨著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入了一個高速發(fā)展的階段,各個相關(guān)產(chǎn)業(yè)也在不斷完善,同時,半導(dǎo)體專業(yè)知識的及時更新也越來越受到業(yè)界人士的重視。根據(jù)目前工藝的最新發(fā)展情況,我們?yōu)榇蠹医榻B“65納米CMOS工藝及其應(yīng)用”;“高壓器件設(shè)計(jì)與制程技術(shù)”,課程注重基礎(chǔ)與實(shí)踐能力的提高,相信會使參加者受益匪淺。

課程簡介:

第一部分:65納米CMOS工藝及其應(yīng)用

65納米CMOS工藝經(jīng)過多年研發(fā)已經(jīng)逐漸進(jìn)入量產(chǎn)階段,本課程將逐一介紹實(shí)際可行的工藝。內(nèi)容包括前端閘極設(shè)計(jì)、信道結(jié)構(gòu)、源汲極淺結(jié)構(gòu),以及后端銅導(dǎo)線工藝整合等項(xiàng)目,并且以一些在特定電路應(yīng)用內(nèi)的范例為學(xué)員解惑。


第二部分: 高壓器件設(shè)計(jì)與制程技術(shù)

功率集成電路及組件在相關(guān)電機(jī)電子產(chǎn)品領(lǐng)域中應(yīng)用日漸增多,但功率組件的設(shè)計(jì)制造及工作條件則有別于一般的傳統(tǒng)IC組件,故本課程的宗旨即在闡述功率組件的基本物理結(jié)構(gòu)及相關(guān)的高壓技術(shù),涵蓋的組件包含Power Rectifiers,Bipolar Transistors,Thyristors,Power MOSFET,以及 IGBT。

主要內(nèi)容:
1. Semiconductor Breakdown Physics
2. Power Rectifiers
3. Bipolar Junction Transistors
4. Thyristors
5. Power MOSFET
6. IGBT
7. Super-junction Devices